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  • IR代理商|國際整流器代理商
    IR代理商全球庫存查詢及國際整流器公司產品技術資料下載
    IR公司(國際整流器)介紹
    IR中文名稱是國際整流器
    關于IR公司介紹

    國際整流器公司(IR)是全球領先的電源管理技術,數字,模擬和混合信號集成電路,先進電路器件,動力系統和元件。 世界領先的電腦制造商,家電,汽車,消費類電子和防御系統,依靠紅外技術,推動其產品的性能和效率。 今天,電源管理技術發揮著越來越重要的作用比以往任何時候都在拯救世界的能源儲備減少,而攻堅克難的技術障礙。 
    紅外技術,使變速運行的實際,一切從傳送帶,洗衣機和負擔得起的。 
    我們讓筆記本電腦運行的時間更長。 
    我們在提高車輛性能和燃油經濟性電子轉向系統和主機的其他方面取得進展的酒吧。
    技術的領導者 

    數字,模擬和混合信號集成電路,先進電路器件,功率系統和組件
    我們首創并擁有關鍵專利技術,創造了$ 5億美元的功率MOSFET行業。
    我們完全專注于電源芯片及子系統,我們創造專利產品,增加更多的價值,以客戶的最終產品。 
    我們的高容量專用晶圓廠將在我們這個行業成本的基準。
    我們積極投資在R&D,我們將生成一個流的高度差異化的產品定位的高增長應用。 
    IR的產品,容量和成本結構,以增長和創造股東價值。
    產品

    高性能模擬,數字和混合信號IC
    先進電路器件
    電力系統
    組件
    IR -六十年來的技術領先地位 
    國際整流器公司成立于1947年8月的洛杉磯,制造硒整流器。 IR是其中的第一家商業化鍺整流器在1954年,并于1958年第一個推出商業化的齊納二極管和太陽能電池。 IR的功率半導體技術的“第一”,包括50年的歷史:

    于1959年第一硅控整流器(SCR)
    開發生產業內最穩定的高電壓的可控硅在1962年的第一外延生長過程。
    空間應用的高可靠性器件第一供應商之一
    第一功率晶體管和達林頓晶體管,以在1974年使用玻璃鈍化介紹
    第一個六角形細胞的功率MOSFET HEXFET踀1979年,注冊商標
    介紹了世界上第一個智能功率IC的一個叫ChipSwitch踀1983年
    功率MOSFET和IGBT產品在1983年發行的第一個專利
    于1983年推出了世界上第一臺高壓電源IC
    在1993年世界上第一個SmartFET
    世界上第四個掩模MOSFET制造工藝在1996年
    世界上第一個MOSFET和肖特基在單一封裝中,或在1996年FETKY產品
    世界上最高的密度和最低的RDS(on)自對準平面和溝道MOSFET在1999年
    FlipFET便攜式應用的晶圓級封裝在2000年
    iPOWIR集成積木在2001年的DC-DC轉換器
    高性能DC-DC轉換器的封裝技術的突破,為在2002年的DirectFET,
    在2003年的iMOTION集成設計平臺變速電機驅動
    先進的電路和集成解決方案 
    IR最新推出的產品提供更高程度的價值為客戶尋求自己的力量設計,以優化性能,同時簡化和縮短設計周期。

    IR的iMOTION架構為工程師提供了另一種設計平臺的高性能數字電機驅動器的設計。 它承諾今天的低功率AC驅動器,高功率工業交流驅動器,高性能伺服應用,以及新興的航天飛控線和汽車驅動器,by-wire系統的積極影響。

    多芯片模塊,如iPOWIR - 智能可擴展的積木,簡化電源設計和提高性能的最新一代的低電壓處理器,在單一和多階段的拓撲結構。 IR的專門知識,設備配套和“較短的走線布局提供優化的解決方案,結合成一個單一的BGA封裝中的多個功率半導體器件,集成電路和無源元件,。

    電源管理IC 
    由于發展的獨特的高電壓(600&1200V),結隔離BCDMOS制造工藝,紅外光譜產生一個最有能力的控制線,電平移位,和可在市場上的柵極驅動集成電路。 這些芯片中使用的設計要求一個高電流的柵極驅動器,需要從地面超過幾伏的電平移位。 更復雜的IC是正在開發中,其中包括PWM控制,高速數字控制電路和接口電路。 IR也有一個NMOS / CMPS功率的IC為SmartFETs和智能電源開關。 這些組件結合起來的功能的功率MOSFET,具有在單芯片上的模擬和數字電路。 這兩項技術已經啟用了先進的高密度電源轉換器,電機控制器,電子和汽車電子的關鍵電路,現在市場上的。 IR最近新增的低壓差穩壓器和開關控制器,其產品線,以滿足迅速發展的信息技術設備市場的DC-DC電源管理的需求。

    IR HEXFET鼀蝒MOSFET技術 
    國際整流器公司率先HEXFET功率MOSFET技術,開發并于1979年推出了第一個六邊形拓撲結構的MOSFET。 這些發展被授予廣泛的專利僅僅四年之后,自那時起,大多數MOSFET制造商已授權進入這個市場的設計和工藝。

    1995年12月,IR推出新一代MOSFET技術,基于先進的四光罩制程,采用創新的自我調整功能,以提高制造精度和增加產量。 使用簡化的過程中,該公司生產的MOSFET與低周時間,比要求的六步過程中使用的功率半導體產業的其余部分。 這個過程還允許接面深度%到40%的小于常規工藝,從而大大降低了晶體管的結電阻,同時增加耐用性。 憑借其制造技術,IR完全自對準的制造工藝,具有密度最高的平面結構,提供極低性,優異的高頻操作,業界最佳的耐用性和優良的制造與開發,并在1999年推出的條紋平面技術演員和工作周期。

    在同一年,IR推出了一系列業界最高的細胞密度和最低的RDS(on)溝道MOSFET。 這一技術被集中用于手機,筆記本電腦和其它便攜式電子設備的各種的最新產品。

    IR產品表現出最低的MOSFET導通電阻可在市場上,類似的部件在其類別,使功率轉換子系統的設計表現出無與倫比的效率。 IR結合國家的最先進的硅技術和創新的封裝技術。 IR POWIRTAB,超220謖協甀瀀攀爀-247封裝允許20A的每個設備在相同的空間比標準的封裝,提高功率密度。 IR的FlipFET封裝技術兼容標準的表面貼裝焊接技術,提供了一個100%的硅足跡比,在相同的性能作為一個傳統的包的3倍那么大的理想解決方案,為便攜式設備,如便攜式手機或筆記本電腦。 IR的DirectFET封裝在一個標準的SO-8通過繪制熱量帶走,從董事會通過封裝頂部的足跡,革命性的熱管理。 其結果是,可以增加一倍的DirectFET MOSFET電流密度,熱管理成本的同時,減少在高電流的供電電路下一代微處理器的一半。

    IGBT的 
    IR生產范圍廣泛的IGBT(絕緣柵雙極晶體管) - 電壓控制的功率晶體管用于功率轉換系統提供基本的輸出功能。 他們已成為首選的輸出解決方案,在幾乎所有的高電壓,高電流,中等頻率的應用。 IR的IGBT提供較高的電流密度比同等的高電壓功率MOSFET,并具有優異的驅動器和輸出特性相比,功率雙極晶體管更快。 在1999年,IR推出IGBT功率損耗降低20%,顯著改善成本和制造技術“不擴散核武器條約”。 在2001年,家庭擴大到包括600V的設備。

    微電子繼電器(MERS) 
    IR的市場匯率包括兩個功能:MOSFET和IGBT為基礎的光電繼電器和光電隔離器產品線。 前者是理想的固態繼電器開關AC和DC負載和感官信號從幾個miliamps到幾百瓦,工業控制,儀器儀表,周邊的電信設備,計算機外圍設備和辦公設備。 后者可提供單或雙通道,光電隔離輸出,可用于直接驅動分立功率MOSFET和/或IGBT的門,讓設計人員能夠靈活的創建自己的,定制的固態繼電器能夠控制超過1000伏和100安培的負載。

    重點市場 

    航空航天和國防
    汽車
    D類音頻
    計算與通信
    采光
    運動控制
    等離子和顯示

    可向IR原廠(國際整流器)或IR代理商咨詢大批量及期貨支持,IR公司現貨庫存產品購買咨詢:0755-27850456 · 82701202
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    國際整流器公司IR是全球功率半導體和管理方案領導廠商,IR代理商產品包括模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件

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